Физическая эквивалентная схема

физическая эквивалентная схема
Ток коллектора имеет еще составляющую IКБО, которая протекает в цепи коллектор — база при IЭ = 0 (холостой ход, “обрыв” цепи эмиттера), и не зависит от тока эмиттера. Оно обусловлено эффектом Эрли и мо­жет быть определено по наклону выходной характеристики: . (3.29) Величина RК обратно пропорциональна значению парамет­ра h22Б . Дифференциальное сопротивление коллектора может составлять сотни килоом и мегаомы, тем не менее его следует учитывать. Электрод “Б” следует изобразить входным, а “Э” — общим, как показано на рисунке 3.11. Рисунок 3.11 Эквивалентная схема БТ при включении его с ОЭ. Значения всех элементов остаются прежними.


Если кварцевый элемент возбуждается в кристаллодержателе с зазорами, то к его эквивалентной электрической схеме добавляется параметр С3 — емкость зазора кристаллодержателя. Эти ограничения заключаются прежде всего в том, что все параметры резонатора должны быть постоянными и не зависящими от частоты и амплитуды колебаний. Основные физические процессы в идеализированном БТ удобно рассматривать на примере схемы с общей базой (рисунок 3.4), так как напряжения на переходах совпадают с напряжениями источников питания. Неравномерное распределение неравновесных носите­лей зарядов сопровождается их диффузией в сторону мень­шей концентрации. Рассматриваются принципы работы, характеристики и параметры полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов различной структуры.

При изменении полярности внешнего напряжения из n+-области в n-область должны инжектироваться дырки, однако их концентрация мала, и этого явления не происходит. Используя отрицательную обратную связь в электронных схемах, можно искусственно создавать источники, обладающие (при определённых условиях) очень низким внутренним сопротивлением. Двойной фосфолипидный слой уподобляет мембрану конденсатору.В организме нет таких систем, которые были бы подобны катушкам индуктивности, поэтому индуктивность его близка к нулю.Таким образом, импеданс тканей определяется только активным и емкостным сопротивлениями. Приращения статических величин в нашем случае имитируют переменные токи и напряжения. Изменение напряжения затвор — исток приводит к изменению размеров зоны объемного заряда (размеров ), т. е. к изменению сопротивления канала.

Похожие записи: